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LGS硅酸鎵鑭晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 可用于制造壓電和電光器件，它具有高溫壓電性能。機(jī)電耦合系數(shù)是石英的3倍，可用于制造高溫傳感器和高功率、高重復(fù)率電光Q開(kāi)關(guān)
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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LGS硅酸鎵鑭晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 三方結(jié)構(gòu) | 晶格常數(shù)： | a=8.170 ? c=5.099 ? | 密度： | 5.75 g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1470g/cm3 | 硬度（Mohs）： | 5.5~6.5 | 生長(zhǎng)方法： | 提拉法 | 機(jī)電耦合系數(shù)有 | 0.28~0.46 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <100> <001> | 定位： | X-cut | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm | 拋光情況： | 雙拋 | 表面粗糙度： | <5A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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