設(shè)備名稱 | 1英寸雙靶射頻磁控濺射鍍膜儀—VTC-1RF-II(2021.1.29--科晶實驗室審核) |
產(chǎn)品提示 | |
主要特點 | ·小型臺式雙靶等離子濺射儀(射頻磁控型) ·此款設(shè)備主要用于制作非導(dǎo)電薄膜,特別是一些氧化物薄膜 ·可以配置高壓直流電源,適合客戶制作一些金屬薄膜 |
輸入電源 | ·220VAC 50/60Hz, 單相 ·1200W (包括真空泵) |
等離子源 | ·標(biāo)配有兩套13.5MHz,100W的射頻電源(采用手動匹配) ·注意:100W手動調(diào)節(jié)的RF(射頻)電源價格較低,但是每一次對于不同的靶材,都需要手動設(shè)置參數(shù)才能產(chǎn)生等離子體,比較耗費(fèi)時間。 ·可選配有500W的直流電源(采用手動調(diào)節(jié)功率和電流) |
磁控濺射頭 | ·兩個1英寸磁控濺射頭(帶有水冷夾層),采用快速接頭與真空腔體相連接 ·靶材尺寸: 直徑為25.4mm,最大厚度3mm ·一個快速擋板安裝在法蘭上 ·濺射頭所需冷卻水:流速10L/min(儀器中配有一臺流速為16L/min的循環(huán)水冷機(jī)) |
真空腔體 | ·真空腔體:256mm OD x 250mm ID x 276mm H,采用高純石英制作 ·密封法蘭:直徑為φ274mm . 采用不銹鋼制作,采用硅膠密封圈密封 ·一個不銹鋼網(wǎng)罩住整個石英腔體,以屏蔽等離子體(如下圖) ·真空度:<1.0×10-2 Torr (采用雙極旋片真空泵),<5×10-5 torr (采渦旋分子泵) ·如果需要更高真空度,可以定做不銹鋼真空腔室(真空度可以達(dá)到5*10-6torr以下) |
載樣臺 | ·載樣臺可旋轉(zhuǎn)(為了制膜更加均勻),并可加熱 ·載樣臺尺寸:直徑50mm (最大可放置2英寸的基片) ·旋轉(zhuǎn)速度:3- 10 rpm(可調(diào)速) ·樣品臺的最高加熱溫度為700℃ (短期使用,恒溫不超過1小時),長期使用溫度500℃ ,控溫精度+/- 5 ℃ |
真空泵 | ·型號:VRD-16 ·抽氣速率:4.4 L/S ·電機(jī)功率:750 W ·極限壓強(qiáng):5×10-1Pa(不帶負(fù)載) |
薄膜測厚儀(可選) | ·一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上,可實時監(jiān)測薄膜的厚度,分辨率為0.10 ? ·LED顯示屏顯示,同時也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù) |
質(zhì)保 | 一年質(zhì)保期,終生維護(hù) |
認(rèn)證 | ·此產(chǎn)品已通過CE認(rèn)證 證書編號:M.2021.206.C67994 ·若客戶出認(rèn)證費(fèi)用,本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證 |
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