- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
聲表級石英晶片
- 型號:
- SiO2
- 產(chǎn)品概述:
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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軸向: | 36°AT cut/42.8°ST cut (+/-0.2°) | 直徑: | 76.2mm(+/-0.3mm);100mm(+/-0.3mm), | 基準面: | 22mm(+/-2mm);22mm(+/-2mm) | 厚度: | 500um(+/-10um);350um(+/-10um) | 傳播表面: | "+"面 Ra≤8? | 晶片背面: | 0.2um≤Ra≤0.7um | TTV: | ≤10um | LTV: | ≤2.0um within an area of 5x5mm2 | PLTV: | ≥95% 3mm from excluded | BOW: | -25um≤Bow≤+25um | 籽晶區(qū)域: | to be within the center 3mm of the water | Q值: | ≥2million | 邊緣倒角; | edge rounding |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)尺寸:dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm; 拋光情況:雙拋;單拋; 表面粗糙度Ra:<5A 注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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