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光學級摻鎂鈮酸鋰 晶片
- 型號：
- MgOLiNbO3
- 產(chǎn)品概述：
- 純同成份鈮酸鋰晶體最大的缺點是抗激光損傷闕值很低，這限制了它的應用領(lǐng)域。當摻入5mol%MgO后，所生長MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個數(shù)量級，極化反轉(zhuǎn)電壓從21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收邊紫移至310mm，OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應用范圍。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
軸向： | Z cut （+/-0.2°） | 直徑： | 76.2mm(+/-0.3mm） | 基準面： | 22mm(+/-2mm） | 厚度： | 500um(+/-5um）/1000um(+/-5um） | 晶片背面： | 雙面拋光 | TTV： | ≤6um | WARP： | ≤20um | 濃度： | 4.9-6mol% | 邊緣倒角： | edge rounding |
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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