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金剛石薄膜
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低阻DOI
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技術參數(shù)

Si基片晶向:

(100) + / - 0.5o

絕緣層:

SiO2

金剛石薄膜厚度: 

2 micron

氧化層厚度:

1 micron

電阻率

<0.1 ohm-cm


?產(chǎn)品規(guī)格

4" diameter x0.5mm

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋真空包裝和單片盒裝

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