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SOI基片
型號(hào):
Si+SiO2+Si
產(chǎn)品概述:
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)

1.國(guó)產(chǎn)SOI

①頂層2um±0.5(5點(diǎn)), BOX層2um±0.1 , P型,總厚度大約621um, 平整度LTV<1um

②頂層3um±0.5(5點(diǎn)), BOX層2um±0.1,P型,總厚度大約622um, 平整度LTV<1um

 電阻率15-25 ohm.cm, 總厚度在625um左右

 

常規(guī)參數(shù):

SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅)

φ6″*0.625-

SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅)

φ4″*0.525-

SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅)

φ4″*0.525-

SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅)

φ6″*0.525-

SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅)

φ6″*0.675-

SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅)

φ6″*0.675-

 

2.進(jìn)口SOI參數(shù):

點(diǎn)擊查看:http://mtixtl.com/soiwafersilicononinsulator.aspx

更多參數(shù),歡迎垂詢!


常規(guī)尺寸

dia4" 

鍍膜層

20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped

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