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- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
SOI基片
- 型號(hào):
- Si+SiO2+Si
- 產(chǎn)品概述:
免責(zé)聲明:
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔,說(shuō)明書(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶,購(gòu)買前請(qǐng)與工作人員溝通,以免給您帶來(lái)不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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1.國(guó)產(chǎn)SOI ①頂層2um±0.5(5點(diǎn)), BOX層2um±0.1 , P型,總厚度大約621um, 平整度LTV<1um ②頂層3um±0.5(5點(diǎn)), BOX層2um±0.1,P型,總厚度大約622um, 平整度LTV<1um 電阻率15-25 ohm.cm, 總厚度在625um左右 常規(guī)參數(shù): SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ6″*0.625- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ4″*0.525- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ4″*0.525- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ6″*0.525- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ6″*0.675- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ6″*0.675- |
2.進(jìn)口SOI參數(shù): 點(diǎn)擊查看:http://mtixtl.com/soiwafersilicononinsulator.aspx 更多參數(shù),歡迎垂詢!
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常規(guī)尺寸
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dia4" |
鍍膜層
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20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped |
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