- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
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- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
Ce:Lu2SiO5晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測設(shè)備中，比如機場，火車站，自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu) | 三方晶系 | 晶格常數(shù) | a=12.36b=6.644 c=10.25 β=102.40 | 熔點oC | 2047 | 密度g/cm3 | 7.4 | 莫氏硬度 | 5.8 | 熱膨脹系數(shù)10-6/K | 19.5 | 折射率 | 1.82 | 發(fā)射波長(nm) | 418 | 輻射長度 | / | 吸濕 | None | 生長方法 | Bridgman |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： 常規(guī)尺寸：5x5x0.5mm、10x10x0.5mm 拋光情況：細(xì)磨、單拋、雙拋 注：可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室100級超凈袋包裝 |
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