- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
鈦酸鋇(BaTiO3)晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- 鈦酸鋇(BaTiO3, BTO)是最早發(fā)現(xiàn)的鈣鈦礦型鐵電體,然而,鈦酸鋇單晶仍然是當(dāng)今鐵電體和凝聚態(tài)物理領(lǐng)域內(nèi)的研究熱點(diǎn),因?yàn)樗粌H是基礎(chǔ)研究的理想材料,具有適宜基礎(chǔ)研究的完整結(jié)構(gòu)和復(fù)雜相變過程,而且具有優(yōu)良的電光與光折變性能,現(xiàn)今又發(fā)現(xiàn)能夠?qū)崿F(xiàn)可逆的大場(chǎng)致應(yīng)變,在高應(yīng)變驅(qū)動(dòng)器上展現(xiàn)出了強(qiáng)烈的應(yīng)用前景,同時(shí),通過工程化疇結(jié)構(gòu)的調(diào)整,其具有優(yōu)良的壓電性能,這使得鈦酸鋇單晶同時(shí)成為非線性光學(xué)器件、壓電和高應(yīng)變領(lǐng)域內(nèi)的一種優(yōu)秀的無鉛環(huán)保型單晶材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu) | 四方(4mm): 9oC < T < 130.5 oC a=3.99 ?, c= 4.04 ? , | 生長(zhǎng)方法 | 頂部籽晶溶液法(TSSG) | 熔點(diǎn) | 1600 oC | 密度 | 6.02 g/cm3 | 介電常數(shù) | ea = 3700, ec = 135 (自由狀態(tài)) ea = 2400, e c = 60 (夾持狀態(tài)) | 折射率 | 515 nm 633 nm 800 nm no 2.4921 2.4160 2.3681 ne 2.4247 2.3630 2.3235 | 透射波長(zhǎng)范圍 | 0.45 ~ 6.30 mm | 電光系數(shù) | rT 13 =11.7 ±1.9 pm/V rT 33 =112 ±10 pm/V rT 42 =1920 ±180 pm/V | SPPC 反射率 (0度切 ) | l = 515 nm, 50 - 70 % (最高達(dá)到77%) l = 633 nm, 50 - 80 % (最高達(dá)到86.8%) | 二波混頻耦合常數(shù): | 10 - 40 cm-1 | 吸收損耗: | l: 515 nm 633 nm 800 nm a: 3.392cm-1 0.268cm-1 0.005cm-1 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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<100>, <001>公差:+/-0.5度 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm 單拋或雙拋,Ra<5A 可按客戶要求定制方向和尺寸。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋封裝 |
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