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砷化銦(InAs)晶體基片
產(chǎn)品概述:
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技術(shù)參數(shù)?

晶體結(jié)構(gòu)

立方  a =5.4505 ?

生長(zhǎng)方法:

CZ

導(dǎo)電類(lèi)型:

N型

摻雜類(lèi)型:

不摻雜

載流子濃度:

2 ~ 5E16 / cm3 

遷移率:

>18500cm2/V.S 


常規(guī)尺寸

常規(guī)晶向:<100>、<111>;

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;拋光情況:?jiǎn)螔伝螂p拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客戶(hù)需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

備注

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋

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