- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
SOI基片
- 型號(hào)：
- Si+SiO2+Si
- 產(chǎn)品概述：
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 常規(guī)尺寸
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dia4" 鍍膜層：20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped |
| 技術(shù)參數(shù)
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國(guó)產(chǎn)SOI：膜層厚度可以按照客戶需求加工 | ①頂層2um±0.5（5點(diǎn)）, BOX層2um±0.1 , P型，總厚度大約621um, 平整度LTV < 1um | ②頂層3um±0.5（5點(diǎn)）, BOX層2um±0.1，P型，總厚度大約622um, 平整度LTV < 1um | 電阻率Ω.cm：15-25 ohm.cm； | 進(jìn)口SOI： | 點(diǎn)擊查看：http://mtixtl.com/soiwafersilicononinsulator.aspx |
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| 常規(guī)尺寸
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SOI | φ4″ | SOI | φ4″ | SOI | φ6″ | SOI | φ6″- | SOI | φ6″- |
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| 備注
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋單片盒或25片插盒封裝 |
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