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YSZ晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 氧化鋯（ZrO2）由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu)， 一般實(shí)際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機(jī)械、化學(xué)穩(wěn)定性好，價(jià)格較低因而得以廣泛應(yīng)用。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱(chēng)
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YSZ 晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | 5.125 ? | 密度： | 5.8 g/cm3 | 晶體純度： | 99.99% | 熔點(diǎn)： | 2800℃ | 熱膨脹系數(shù)： | 10.3×10 -6/℃ | 介電常數(shù)： | 27 | 生長(zhǎng)方式： | 弧熔法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <100>, <110>, <111> | 公差： | +/-0.5度 | 常規(guī)尺寸： | dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋、細(xì)磨 | 晶體粗糙度： | <5A | 注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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