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TGG晶體基片
產(chǎn)品概述:
TGG單晶具較大的磁光常數(shù)、低的光損失、高熱導(dǎo)性和高激光損傷閾值, 廣泛應(yīng)用于YAG 、摻Ti藍(lán)寶石等多級放大、環(huán)型、種子注入激光器中。也是用于制作法拉第旋光器與隔離器的最佳磁光材料,適用波長400-1100nm(不包括470nm-500nm)。法拉第旋光器由TGG晶棒和一個特殊設(shè)計(jì)的磁體組成。穿過磁光材料的光束的偏振方向?qū)⒃诖艌鲎饔孟掳l(fā)生偏轉(zhuǎn),其偏轉(zhuǎn)方向只與磁場方向有關(guān),與光束傳播方向無關(guān)。光隔離器由一個45度偏轉(zhuǎn)的旋光器和一對適當(dāng)放置的偏振器組成, 它使光束僅能沿一個方向通過,而阻斷反向傳播的光束。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

TGG晶體基片


技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):                     

立方晶系                      

晶格常數(shù):

a=12.355?  

密度:

7.13 g/cm3

熔點(diǎn):

1725°C

莫氏硬度:

8.0

折射率:

1.954@1064nm

超導(dǎo)率(w/m.k):

7.4×10-6

生長方法:

提拉法




產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:              

<111>

常規(guī)尺寸:

10x10x0.5mm,5x5x0.5mm,10x5x0.5mm        

注:尺寸可按照客戶要求定做。


晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。



標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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