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SiO2晶體
產(chǎn)品概述:
SiO2單晶水晶片是一種極好的基片,用于無線通訊工業(yè)的微波濾波器。
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產(chǎn)品名稱

SiO2 晶體基片

技術(shù)參數(shù)

 

晶體結(jié)構(gòu):         

六方晶系                             

晶格常數(shù):

a=4.914?  c=5.405 ?

密度:

2.533   

熔點:

1700℃ ( phase transition point: 573.1oC)

莫氏硬度:(Mohs)

7.0    

折射率:

1.544

介電常數(shù):

3.6

熱膨脹系數(shù)

5×10-7/k

生長方法:

水熱法


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:         

Y、X或Z切,Y在30o~42.75 o ±5分范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)任意值   

常規(guī)尺寸:

 10x10x0.5mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

拋光情況:

單拋、雙拋

拋光面粗糙度:

< 5A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。


晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝。

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