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- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
CsI(TI)晶體
- 產(chǎn)品概述:
- 閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率,由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中,比如機(jī)場(chǎng),火車站,自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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CsI(TI)晶體基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 六方晶系 | 晶格常數(shù): | a =4.566 ? | 密度: | 4.53 g/cm3 | 硬度: | 2 ( mohs) | 熔點(diǎn): | 621 ℃ | 吸水性: | 輕微 | 折射率: | 1.78 | 發(fā)射波長(zhǎng)(nm): | 550 | 輻射長(zhǎng)度: | 1.86cm |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | 無(wú) | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm、10x10x1.0mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度: | Ra<15A |
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晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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