- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Ce:Lu2SiO5晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測設(shè)備中，比如機(jī)場，火車站，自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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Ce:Lu2SiO5晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 單斜晶系 | 晶格常數(shù)： | a=12.36b=6.644 c=10.25 β=102.40 | 純度： | >99.99％ | 密度： | 7.4g/cm3 | 硬度： | 5.8( mohs) | 熔點(diǎn)： | 2047℃ | 熱膨脹： | 19.5 10-6/K | 折射率： | 1.82 | 發(fā)射波長： | 418nm | 生長方法： | 布里奇曼 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （001） 摻Ce摩爾比0.175% | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | Ra<15A |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封
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