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CdWO4晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 鎢酸鎘晶體對(duì)X射線(xiàn)吸收系數(shù)大，輻射長(zhǎng)度短，可使高能物理探測(cè)器做得十分密集，從而降低整個(gè)譜儀的造價(jià)。近年來(lái)，由于鎢酸鎘晶體具有優(yōu)越的光學(xué)性能，使它成為了應(yīng)用在XCT探測(cè)器上的首選閃爍體材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱(chēng)
|
鎢酸鎘(CdWO4)晶體基片
|
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 單斜晶系 | 晶格常數(shù)： | a=5.029?，b=5.859?，c=5.074?； α=γ=90o，β=91.47o | 純度： | 99.99％ | 密度： | 7.90g/cm3 | 硬度： | 4-4.5( mohs) | 熔點(diǎn)： | 1325oC | 熱膨脹： | 6.39×10-6/K（ 1.09×10-5/K（ | 折射率： | 2.3 | 生長(zhǎng)方法： | 提拉法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （010）、（001） | 晶向公差： | ±0.5°內(nèi) | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | Ra<5A（5x5μm范圍內(nèi)） |
注：可按客戶(hù)要求定制特殊的方向和尺寸。
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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