- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
CdTe晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 碲化鎘(CdTe)晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測,紅外光學(xué)，外延基片，蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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碲化鎘(CdTe)晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a = 6.483? | 密度： | 5.851g/cm3 | 熔點： | 1047℃ | 熱導(dǎo)率： | 6.3W /m.k at 300K | 熱膨脹系數(shù)： | 5.9x10-6/K | 透過波長： | 0.85 ~ 29.9μm | 折射率： | 2.65@10μm | | 介電常數(shù)： | 11@1MHZ |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | (100)、（110）、（111） | 晶向公差： | ±1° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | <15A |
注：也可提供多晶的，尺寸可按照客戶要求加工，請發(fā)郵件確定信息。
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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