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CdSe晶體
產品概述：
硒化鎘單晶是一種重要的直接躍遷帶隙II-VI族半導體材料，具有優(yōu)異的光學和電學性能。
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產品名稱

硒化鎘（CdSe）晶體
技術參數

晶體結構：

六方晶系

晶格常數：

a= 4.2985 ?；c=7.015?

密度：

5.81g/cm3

熔點：

1240℃

折射率：

2.42

帶隙：

1.74 eV

電阻率：            

低阻（R<1 ohm-cm)；高阻（R>10^6 ohm-cm) 
產品規(guī)格

常規(guī)晶向：          

（0001）、（10-10）           

晶向公差：

±1°

常規(guī)尺寸：

d10x10x1.0mm±0.1mm

拋光情況：

雙拋

拋光面粗糙度：

60/40

注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。
晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋、插盒或單片盒封裝
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附件

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