| 測(cè)量膜厚范圍 | ? 15nm-50um |
| 光譜波長(zhǎng) | ? 400 nm - 1100 nm |
| 主要測(cè)量透明或半透明薄膜厚度 | ? 氧化物 ? 氮化物 ? 光刻膠 ? 半導(dǎo)體（硅，單晶硅，多晶硅等） ? 半導(dǎo)體化合物（ALGaAs,InGaAs,CdTe,CIGS等） ? 硬涂層（碳化硅，類(lèi)金剛石炭） ? 聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺) ? 金屬膜（點(diǎn)擊圖片可查看詳細(xì)資料） |
| 特點(diǎn) | ? 測(cè)量和數(shù)據(jù)分析同時(shí)進(jìn)行，可測(cè)量單層膜，多層膜，無(wú)基底和非均勻膜 ? 包含了500多種材料的光學(xué)常數(shù)，新材料參數(shù)也可很容易地添加，支持多重算法：Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等 ? 體積較小，方便擺放和操作 ? 可測(cè)量薄膜厚度，材料光學(xué)常數(shù)和表面粗糙度 ? 使用電腦操作，界面中點(diǎn)擊，即可進(jìn)行測(cè)量和分析 |
| 精度 | ? 0.01nm或0.01% |
| 準(zhǔn)確度 | ? 0.2%或1nm |
| 穩(wěn)定性 | ? 0.02nm或0.02% |
| 光斑尺寸 | ? 標(biāo)準(zhǔn)3mm,可以小至3um |
| 要求樣品大小 | ? 大于1mm |
| 分光儀/檢測(cè)器 | ? 400 - 1100 nm 波長(zhǎng)范圍 ? 光譜分辨率: < 1 nm ? 電源 100 -250 VAC, 50/60 Hz 20W |
| 光源 | ? 5W的鎢鹵素?zé)?/p> ? 色溫：2800K ? 使用壽命:1000小時(shí) |
| 反射探針 | ? 光學(xué)纖維探針，400um纖維芯 ? 配有分光儀和光源支架 |
| 栽樣臺(tái) | ? 測(cè)量時(shí)用于放置測(cè)量的樣品 |
| 通訊接口 | ? USB接口，方便與電腦對(duì)接 |
| TFCompanion軟件 | ? 強(qiáng)大的數(shù)據(jù)庫(kù)包含500多種材料的光學(xué)常數(shù)（n：折射率，K：消失系數(shù)） ? 誤差分析和模擬系統(tǒng)，保證在不同環(huán)境下對(duì)樣品測(cè)量的準(zhǔn)確性 ? 可分析簡(jiǎn)單和復(fù)雜的膜系 |
| 設(shè)備尺寸 | ? 200x250x100mm |
| 重量 | ? 4.5kg |
1、通過(guò)橢偏儀、SEM、反射光譜測(cè)厚儀（進(jìn)口、國(guó)產(chǎn)）三者檢測(cè)結(jié)果的對(duì)比，薄膜厚度偏差＜ 2 nm。
2、沈陽(yáng)TFMS-IV膜厚儀與美國(guó)TFMS-LD薄膜測(cè)厚儀測(cè)量膜厚的平均值相差 2 nm；
3、反射光譜側(cè)厚相比于SEM測(cè)厚，操作更加便捷，對(duì)操作人員要求并不高。
應(yīng)用技術(shù)提示 | ·廠家配備的校準(zhǔn)基片，請(qǐng)勿丟失。 ·校準(zhǔn)基片在使用時(shí)，要注意操作規(guī)范，請(qǐng)勿劃傷或污染基片。 ·使用結(jié)束后，需要用無(wú)塵布將設(shè)備鏡頭和樣品臺(tái)面蓋住。 ·測(cè)試過(guò)程需要在較為潔凈的環(huán)境下進(jìn)行。 ·待測(cè)基片在檢測(cè)前要注意保管和清洗，防止出現(xiàn)檢測(cè)樣品偏差過(guò)大。 ·檢測(cè)金屬需要注意薄膜厚度，只有低于40或50nm厚度的金屬膜才可以被測(cè)量。較厚的金屬膜是不透明的，因此不能用TFMS-LD測(cè)量，實(shí)際測(cè)量厚度取決于金屬類(lèi)型。假定金屬膜表面是光滑的，下表顯示了幾種金屬的可測(cè)量厚度。
·表面粗糙度會(huì)引起散射使測(cè)量厚度減小。 |
警示 | ·不要直視光源或探頭，以免傷害眼睛。 ·一定要確保光纖探頭端口連接。 ·光纖不可過(guò)度彎折。 ·鏡頭不可使用粗糙物擦拭，防止造成鏡頭劃傷，影響檢測(cè)。 |
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