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（1）真空度

磁控濺射需在一定真空度下進行，高于或低于此真空度均不能濺射，且磁控濺射處于低氣壓時濺射粒子能量較高，高氣壓時濺射粒子能量較低，不同工作氣壓下沉積的薄膜質(zhì)量差異較大。

（2）O₂流量

    O₂流量的大小對制備高質(zhì)量的Al₂O₃薄膜十分重要，低O₂流量下制備的薄膜純度較低，絕緣性差，高O₂流量制備的薄膜O原子含量高，薄膜質(zhì)量差。

（3）本底真空度

不同本底真空濺射Al₂O₃薄膜時薄膜質(zhì)量和沉積速率差異較大，高本底真空濺射薄膜，沉積速率快，雜質(zhì)氣體較少，但是恢復(fù)真空時間長，低本底真空壓強沉積速率慢，但是恢復(fù)真空時間短。

（4）直流濺射功率

直流磁控濺射制備Al₂O₃薄膜時，濺射靶功率影響濺射速率、沉積速率和薄膜質(zhì)量等參數(shù)；濺射靶功率較低時薄膜沉積速率較低，濺射靶功率較高時會出現(xiàn)靶中毒現(xiàn)象且靶材尺寸會限制濺射靶功率大小。

（5）射頻濺射功率

射頻濺射制備Al₂O₃薄膜時，濺射靶功率越大其濺射速率越大，但不無限增加濺射靶功率。雖然射頻濺射不會出現(xiàn)靶中毒現(xiàn)象，但射頻濺射靶材加載功率過高，反射功率就會異常增大，將對濺射設(shè)備造成損壞。

內(nèi)容摘自《直流、射頻磁控濺射制備Al2O3薄膜工藝探索及其性能的研究》